规格书 |
CPH6532 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
晶体管类型 | 2 NPN (Dual) |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 1A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 190mV @ 10mA, 500mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 200 @ 100mA, 2V |
功率 - 最大 | 1.1W |
频率转换 | 420MHz |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | SOT-23-8 Thin, TSOT-23-8 |
供应商器件封装 | 6-CPH |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
集电极最大直流电流 | 1 |
最小直流电流增益 | 200@100mA@2V |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
最大集电极基极电压 | 80 |
最低工作温度 | -55 |
包装高度 | 0.9 |
安装 | Surface Mount |
最大功率耗散 | 1100 |
最大基地发射极电压 | 5 |
Maximum Transition Frequency | 420(Typ) |
PCB | 6 |
每个芯片的元件数 | 2 |
包装宽度 | 1.6 |
供应商封装形式 | CPH |
包装长度 | 2.9 |
最大集电极发射极电压 | 80 |
类型 | NPN |
引脚数 | 6 |
铅形状 | Gull-wing |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 1A |
晶体管类型 | 2 NPN (Dual) |
安装类型 | Surface Mount |
频率 - 转换 | 420MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 190mV @ 10mA, 500mA |
标准包装 | 3,000 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
供应商设备封装 | 6-CPH |
封装 | Tape & Reel (TR) |
功率 - 最大 | 1.1W |
封装/外壳 | SOT-23-8 Thin, TSOT-23-8 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 200 @ 100mA, 2V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
RoHS | RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 3000 |
集电极 - 发射极饱和电压 | 0.19 V |
晶体管极性 | NPN |
发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
系列 | CPH6532 |
直流集电极/增益hfe最小值 | 200 |
直流电流增益hFE最大值 | 560 |
安装风格 | SMD/SMT |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 50 V |
Pd - Power Dissipation | 1.1 W |
增益带宽产品fT | 420 MHz |
集电极 - 基极电压VCBO | 80 V |
配置 | Dual |
最高工作温度 | + 150 C |
品牌 | ON Semiconductor |
连续集电极电流 | 1 A |
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