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厂商型号

CPH6532-TL-E 

产品描述

Trans GP BJT NPN 80V 1A 6-Pin CPH

内部编号

277-CPH6532-TL-E

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:6000
1+¥3.2137
10+¥2.4821
100+¥1.347
1000+¥1.012
3000+¥0.8684
9000+¥0.8068
24000+¥0.7453
45000+¥0.718
99000+¥0.6769
最小起订量:1
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#2

数量:3000
最小起订金额:¥₩600
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#3

数量:30000
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原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
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CPH6532-TL-E产品详细规格

规格书 CPH6532-TL-E datasheet 规格书
CPH6532
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
晶体管类型 2 NPN (Dual)
- 集电极电流(Ic)(最大) 1A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 190mV @ 10mA, 500mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 200 @ 100mA, 2V
功率 - 最大 1.1W
频率转换 420MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 SOT-23-8 Thin, TSOT-23-8
供应商器件封装 6-CPH
包装材料 Tape & Reel (TR)
集电极最大直流电流 1
最小直流电流增益 200@100mA@2V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
最大集电极基极电压 80
最低工作温度 -55
包装高度 0.9
安装 Surface Mount
最大功率耗散 1100
最大基地发射极电压 5
Maximum Transition Frequency 420(Typ)
PCB 6
每个芯片的元件数 2
包装宽度 1.6
供应商封装形式 CPH
包装长度 2.9
最大集电极发射极电压 80
类型 NPN
引脚数 6
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 1A
晶体管类型 2 NPN (Dual)
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 420MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 190mV @ 10mA, 500mA
标准包装 3,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
供应商设备封装 6-CPH
封装 Tape & Reel (TR)
功率 - 最大 1.1W
封装/外壳 SOT-23-8 Thin, TSOT-23-8
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 200 @ 100mA, 2V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
RoHS RoHS Compliant
工厂包装数量 3000
集电极 - 发射极饱和电压 0.19 V
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
系列 CPH6532
直流集电极/增益hfe最小值 200
直流电流增益hFE最大值 560
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 发射极最大电压VCEO 50 V
Pd - Power Dissipation 1.1 W
增益带宽产品fT 420 MHz
集电极 - 基极电压VCBO 80 V
配置 Dual
最高工作温度 + 150 C
品牌 ON Semiconductor
连续集电极电流 1 A

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